KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
博盈彩票代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用.标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 技术参数：

型号	RFICP 40 / RFICP 40FN
供电	RF 射频感应耦合
- 阴极灯丝	-
- 射频功率	0.6 KW
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用
-栅极直径	4 cm
中和器	LFN 2000
电源控制	RFICP 1510-2-06-LFNA
配置	-
- 阴极中和器	LFN1000 or MHC1000 or RFN
- 安装	移动或快速法兰
- 高度	5.0'
- 直径	5.3'
- 离子束	聚焦 平行 散设
-加工材料	金属 电介质 半导体
-工艺气体	惰性 活性 混合
-安装距离	6-18”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE